سوئیچ زنی همدوس و ناهمدوس سالیتونهای کاواک در میکرومشددهای نیمرسانا بالای آستانه ی لیزرزایی

مطالعات نشان می دهند که حذف بی در روی پلاریزاسیون در معادلات دینامیکی میکرو مشددها باعث بوجود آمدن پدیده های غیرفیزیکی غیرقابل توجیه و ناپایداری سیستم می شود. برای غلبه بر این ناپایداریها وابستگی قطبش به کمیت هایی همچون چگالی حاملین و میدان الکتریکی مورد مطالعه و معادله مربوط به قطبش به معادلات دینامیکی میدان و حاملین اضافه شد. در معادلات مربوطه جهت واقعی تر کردن مدل برازش مرتبه ی دوم منحنی بهره انجام گرفته و ضریب آن وارد محاسبات شده است. در این پروژه ضمن تولید سالیتونهای کاواک در چنین میکروکاواک هایی، روش سوئیچ زنی سالیتونها مورد مطالعه قرار گرفته و این روشها با هم مقایسه می شوند تا بهترین روش جهت روشن و خاموش کردن سالیتونها ارائه گردد. دو روش سوئیچ زنی در این پروژه مطرح شده، همدوس و ناهمدوس، که دینامیک هرکدام جداگانه مورد بررسی قرار گرفته است و شاخه های سالیتونی برای جریانهای تزریق 10 و 30 درصد بالای آستانه شبیه سازی شده است. از آنجائیکه اساس کار گیت های منطقی بر پایه ی سوئیچ زنی استوار است، در این پایان نامه با استفاده از روش سوئیچ زنی همدوس به طراحی و شبیه سازی گیت های تمام نوری and و or بر پایه سالیتونهای کاواک مبادرت شده است. بعلاوه، حرکت سالیتونهای کاواک نیز که می تواند کاربردهای متنوعی داشته باشد بررسی شده است.